ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT53E128M16D1DS-053 AAT:A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT53E128M16D1DS-053 AAT:A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT53E128M16D1DS-053 AAT:A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.1V | |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR4 | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 105°C (TC) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 2Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 128M x 16 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | - | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 1.866 GHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT53E128 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 3 (168 Hours) |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0036 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT53E128M16D1DS-053 AAT:A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT53E128M16D1DS-053 AAT:A | MT53E128M16D1DS-053 IT:A | MT53D768M64D8JS-053 WT:D | MT53E128M32D2DS-053 AUT:A |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| ขนาดหน่วยความจำ | 2Gbit | 2Gbit | 48Gbit | 4Gbit |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 105°C (TC) | -40°C ~ 95°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) | -40°C ~ 125°C (TC) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT53E128 | MT53E128 | MT53D768 | MT53E128 |
| องค์กรหน่วยความจำ | 128M x 16 | 128M x 16 | 768M x 64 | 128M x 32 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Bulk | Tray | Tray |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | - | - | Automotive, AEC-Q100 |
| ความถี่นาฬิกา | 1.866 GHz | 1.866 GHz | 1.866 GHz | 1.866 GHz |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | - | Parallel | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.1V | 1.06V ~ 1.17V | 1.1V | 1.1V |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MT53E128M16D1DS-053 AAT:A PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ MT53E128M16D1DS-053 AAT:A - Micron Technology Inc.
MT53E128M32D2DS-053Micron TechnologyMT53E128M32D2DS-046 AATAMicron TechnologyMT53E128M16D1DS-053 IT:AMicron Technology Inc.IC DRAM 2GBIT PAR 200WFBGAMT53D768M64D8JS-053 WT:DMicron Technology Inc.IC DRAM 48GBIT 1.866GHZ 366VFBGAMT53E128M32D2DS-053 AUT:AMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGAMT53D768M64D8SQ-053WT:EMicron TechnologyMT53E128M32D2DS-053 AATAMicron TechnologyMT53E128M16D1DS-053 AATAMicron TechnologyMT53E128M32D2DS-053 AUTAMicron TechnologyMT53E128M32D2DS-046 AAT:AMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGAMT53D512M64D8HR-053 WT:BMicron Technology Inc.IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 366WFBGAMT53D768M64D4SQ-046WT:AMicron TechnologyMT53D768M32D2NP-046 WT:AMicron Technology Inc.IC LPDDR4 24G 768MX32 FBGAMT53D768M64D4SQ-046 WTAMicron TechnologyMT53D768M64D4NZ-046 WT:AMicron Technology Inc.IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ FBGA QDPMT53D768M64D4SQ-046 WT:AMicron Technology Inc.IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ FBGAMT53E128M32D2DS-053 AAT:AMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGAMT53D768M32D2NP-046Micron Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที